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超贝 ®OM2+/OM3/OM4 弯曲不敏感多模光纤

长飞超贝 ®OM2+ 弯曲不敏感多模光纤满足或优于 ISO/IEC 11801-1 OM2 规范,IEC 60793-2-10 A1-OM2 规范和 TIA-492AAAF A1-OM2规范。

长 飞 超 贝 ®OM3/OM4 弯 曲 不 敏 感 多 模 光 纤 满 足 或 优 于 ISO/IEC 11801-1 OM3/OM4 规 范, IEC60793-2-10 A1-OM3和 A1-OM4规范和 TIA-492AAAF A1-OM3和 A1-OM4规范。

特性

优势和应用

  • 为850nm VCSELs优化设计
  • 与现有OM2+/OM3/OM4多模光纤兼容
  • 优越的几何一致性
  • 低衰减
  • 高带宽
  • 低差分模时延(DMD)
  • 数据中心
  • 数据存储网络
  • 高性能计算中心
  • 办公中心
  • 局域网
  • 1 & 10 & 40 & 100 & 400 Gb/s以太网
  • 非常低的宏弯敏感性
  • 支持在小弯曲半径下使用和安装光缆
  • 采用长飞专有双层紫外光固化丙烯酸酯涂层
  • 优良的抗微弯性能
  • 用于紧套光缆性能优越
  • 在多种环境条件下保持性能稳定
系统链路长度

规格参数

特性

条件

数据

单位

几何特性

芯直径

--

50±2.5

[μm]

芯不圆度

--

≤5.0

[%]

包层直径

--

125.0±1.0

[μm]

包层不圆度

--

≤0.6

[%]

涂层直径

--

245±7

[μm]

涂层/包层同心度

--

≤10.0

[μm]

涂层不圆度

--

≤6.0

[%]

芯层/包层同心度

--

≤1.0

[μm]

光纤长度

--

最长到8.8

[km/盘]

光学特性

衰减

850nm

≤2.4

[dB/km]

1300nm

≤0.6

[dB/km]

--

--

超贝® OM2+/ OM3/OM4弯曲不敏感

--

满注入带宽

850nm

≥700/≥1500/≥3500

[MHz·km]

1300nm

≥500/≥500/≥500

[MHz·km]

有效模式带宽

850nm

≥950/≥2000/≥4700

[MHz·km]

链路长度

--

--

--

40GBASE-SR4 / 100GBASE-SR101

850nm

-/140/170

[m]

10GBASE-SR

850nm

150/300/550

[m]

1000BASE-SR

850nm

750/1000/1100

[m]

差分模时延DMD

满足或优于IEC 60793-2-10规范

--

--

数值孔径

--

0.200±0.015

--

群折射率

850nm

1.482

--

1300nm

1.477

--

零色散波长

--

1295-1340

[nm]

零色散斜率

1295nm≤λ0≤1310nm

≤0.105

[ps/(nm2·km)]

1310nm≤λ0≤1340nm

≤0.000375(1590-λ0)

[ps/(nm2·km)]

宏弯损耗2

--

--

--

2圈,半径15mm

850nm

≤0.1

[dB]

1300nm

≤0.3

[dB]

2圈,半径7.5mm

850nm

≤0.2

[dB]

1300nm

≤0.5

[dB]

背向散射特性1300nm

台阶(双向测量的平均值)

--

≤0.10

[dB]

长度方向的不规律性和点不连续性

--

≤0.10

[dB]

衰减不均匀性

--

≤0.08

[dB/km]

环境特性  850nm和1300nm

温度附加衰减

-60℃ 到85℃

≤0.10

[dB/km]

温度-湿度循环附加衰减

-10℃ 到85℃,4%到98% 相对湿度

≤0.10

[dB/km]

浸水附加衰减

23℃, 30 天

≤0.10

[dB/km]

干热附加衰减

85℃,30天

≤0.10

[dB/km]

湿热附加衰减

85℃和85%相对湿度,30天

≤0.10

[dB/km]

机械特性

筛选张力

--

≥9.0

[N]

--

≥1.0

[%]

--

≥100

[kpsi]

涂层剥离力

典型平均剥离力

1.5

[N]

峰值力

≥1.3,≤8.9

[N]

动态疲劳参数(nd, 典型值)

--

20

--

备注: 1、光缆在850 nm的最大衰减为3.0 dB/km、熔接/连接器的最大总损耗为1.0 dB以及VCSEL的最大均方根谱宽≤ 0.45 nm情况下的支持距离。

           2、宏弯损耗测试的注入条件需满足IEC 61280-4-1标准。

建议与反馈